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IRF6603
100000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
SHORTED
6.0
5.0
ID= 20A
VDS= 15V
Coss = Cds + Cgd
10000
Ciss
Coss
4.0
3.0
1000
Crss
2.0
1.0
100
1
10
100
0.0
0
10
20
30
40
50
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
100
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
10
T J = 150 ° C
10
100μsec
1msec
T J = 25 C
1
°
1
10msec
Tc = 25°C
Tj = 150°C
0.1
0.2
0.5         0.7         1.0
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
V GS = 0 V
1.2
1.5
0.1
Single Pulse
0 1 10 100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1000
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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